固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

无需在隔离侧使用单独的电源，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，并为负载提供直流电源。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

通风和空调 （HVAC） 设备、以及工业和军事应用。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。涵盖白色家电、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。可用于创建自定义 SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。模块化部分和接收器或解调器部分。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，支持隔离以保护系统运行，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。每个部分包含一个线圈，以创建定制的 SSR。供暖、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。航空航天和医疗系统。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，