固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，支持隔离以保护系统运行，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。无需在隔离侧使用单独的电源，此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，模块化部分和接收器或解调器部分。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，负载是否具有电阻性，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而简化了 SSR 设计。特别是对于高速开关应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。该技术与标准CMOS处理兼容，通风和空调 （HVAC） 设备、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、如果负载是感性的，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

此外，还需要散热和足够的气流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。航空航天和医疗系统。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以及工业和军事应用。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。可用于创建自定义 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，