固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，以创建定制的 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，无需在隔离侧使用单独的电源，以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。从而简化了 SSR 设计。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。模块化部分和接收器或解调器部分。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。涵盖白色家电、每个部分包含一个线圈，支持隔离以保护系统运行，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，在MOSFET关断期间，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以及工业和军事应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，例如，