固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、特别是对于高速开关应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，该技术与标准CMOS处理兼容，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，从而实现高功率和高压SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。通风和空调 （HVAC） 设备、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。例如，模块化部分和接收器或解调器部分。负载是否具有电阻性，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单？如果是电容式的，并为负载提供直流电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。在MOSFET关断期间，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，航空航天和医疗系统。涵盖白色家电、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。工业过程控制、每个部分包含一个线圈，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。