长江存储全国产化产线今年试产！力争2026年全球份额15%

以提高每片晶圆的比特数，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。

目前，

未来几代产品预计将通过堆叠三层实现超过300层的结构，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。长江存储计划在2025年下半年启动一条完全依赖国产工具的试验线。但他们也提醒说，公司已经开始出货232层TLC（三层单元）芯片（X4-9070），计划在2025年实现每月约15万片晶圆的产能（WSPM），并力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。以及一款2TB的TLC X5-9080。

为了减少对外国设备的依赖，并将市场份额推高至超过15%，该设施是实验性的，

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长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，长江存储的产能已接近每月13万片晶圆，计划于今年晚些时候推出的3D QLC X4-6080，

长江存储的产品路线图包括一款1TB的TLC设备、不过这可能会牺牲一些吞吐量。依然积极推进产能扩张计划，该芯片通过堆叠两层实现总共294层。不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，最终可能会使比特产量翻倍，约占全球产能的8%，如果试验成功，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，大规模生产还需要时间。

TechInsights的报告显示，

分析师认为，据报道，

长江存储自2022年底被列入美国商务部的实体清单以来，

快科技7月22日消息，