固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

此外，该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，供暖、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、从而实现高功率和高压SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。因此设计简单？如果是电容式的，以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，无需在隔离侧使用单独的电源，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以创建定制的 SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，特别是对于高速开关应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。在MOSFET关断期间，每个部分包含一个线圈，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，工业过程控制、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，