固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，航空航天和医疗系统。供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以创建定制的 SSR。并为负载提供直流电源。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。如果负载是感性的，

涵盖白色家电、但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而简化了 SSR 设计。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。