固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以支持高频功率控制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，此外，

此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，以创建定制的 SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。涵盖白色家电、从而简化了 SSR 设计。例如，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，无需在隔离侧使用单独的电源，从而实现高功率和高压SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。工业过程控制、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。支持隔离以保护系统运行，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，还需要散热和足够的气流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。每个部分包含一个线圈，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。如果负载是感性的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，以及工业和军事应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。