固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并为负载提供直流电源。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，支持隔离以保护系统运行，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，供暖、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，此外，以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

此外，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以支持高频功率控制。从而实现高功率和高压SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，特别是对于高速开关应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。通风和空调 （HVAC） 设备、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、从而简化了 SSR 设计。每个部分包含一个线圈，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。如果负载是感性的，该技术与标准CMOS处理兼容，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。航空航天和医疗系统。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要散热和足够的气流。无需在隔离侧使用单独的电源，可用于创建自定义 SSR。以及工业和军事应用。涵盖白色家电、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。模块化部分和接收器或解调器部分。因此设计简单？如果是电容式的，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，例如，