车辆区域控制架构关键技术——趋势篇

RDS(ON)和栅极电荷QG，

NCV841x 系列具有非常平坦的温度系数， 受保护的半导体开关能够复位，

●   改进的FOM(RDS x QOSS/QG/QGD)提高了性能和整体能效。 使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。 可进一步提升电流承载能力。 支持自动重启

●   过电流、 每种电池使用单独的转换器，

●   可复位：与传统保险丝不同，

随着区域控制架构的采用，

目前市场上主要有以下两种方法：

●   一体式 PDU和ZCU：将PDU和ZCU功能集成在单个模块中。节省空间并简化车辆线束。 电力来自高压(HV)电池组（通常为400V或800V电池架构） 。 改善了品质因数。 Trr）降低了振铃、 降低了输出电容、

这款控制器可通过漏极引脚轻松控制，灯丝会熔化， 下面的框图直观地呈现了该电力流及不同的实现方案。

安森美为12V、电子保险丝和 SmartFET可为负载、传统刀片式保险丝的工作原理简单而关键：其中包含一个经过校准的灯丝， SmartFET和理想二极管控制器。 PDU可直接为大电流负载供电，因此HV-LV转换器可以直接为48V电池供电，从而使电路开路并中断电流。

表1 推荐安森美MOSFET（适用于12V和48V系统）

图5 T10 MOSFET（底部散热）和替代方案TCPAK57（顶部散热）的常规封装

晶圆减薄

对于低压FET， 可通过评估板上的跳线设置所需的保护模式。

本文引用地址：

向软件定义汽车(SDV)的转型促使汽车制造商不断创新， 并且可以抵御高达60V抛负载（负载突降） 脉冲。 并根据使能引脚的状态和输入至漏极的差分电压极性， 不得超过器件的最大额定值。 ZCU则在各自区域内进一步管理配电， 因此可考虑采用RDS(ON)低于1.2mΩ的分立式MOSFET方案。在区域控制器中集成受保护的半导体开关。 更薄的衬底也提高了器件的热性能。 可使用评估板的预设布局或使用外部连接信号来控制器件。 因此更加先进。

相较之下，传感器和执行器提供保护， 有的汽车只有一种LV电池， 从而将40V MOSFET中衬底对RDS(ON)的贡献从约50%减少到22%。 不同于传统保险丝（熔断后必须更换） ，包括自我诊断和保护电路" id="3"/>图1 NCV841x SmartFET框图， NCV841x 改进了 RSC 和短路保护性能， 

图2 NCV68261应用原理图（理想二极管）图3 NCV68261应用原理图（极性反接保护+上桥开关）

评估板(EVB)

以下两款理想二极管控制器均可使用评估板： NCV68061和NCV68261。

NCV8411（NCV841x系列） 的主要特性：

●   三端受保护智能分立FET

●   温差热关断和过温保护，因此无需为应对寒冷天气条件下的电流增大而选择更粗的电线。诊断和状态报告功能。不同于传统的域架构， 过压保护， 但整体能效更好，发生跳闸事件后无需更换， HV-LV DC-DC转换器将高压降压，且采用相同的封装。 目前有多种方案可供选择， 支持理想二极管工作模式（图2） 和极性反接保护工作模式（图3） 。

●   分离式PDU和ZCU：使用独立的PDU和ZCU单元。可显著延长器件的使用寿命。提供配置、 确保高效可靠的电源管理。 大大提高了功能安全性。 下面的框图简要展示了PDU的组成结构：

用于上桥和下桥保护的SmartFET

下桥SmartFET - NCV841x“F”系列

安森美提供两种系列的下桥 SmartFET：基础型 NCV840x 和增强型 NCV841x。 随着技术的进步， 到达特定区域内的各个负载。将分散在各个ECU上的软件统一交由强大的中央计算机处理， ZCU则负责为车辆指定区域内的大多数负载分配电力。 PDU位于ZCU之前，区域控制架构采用集中控制和计算的方式，仅为0.42mΩ。 能够满足不同汽车制造商及其车型的特定要求。在区域控制器(ZCU)内嵌入多个较小的DC-DC转换器。 连接的电源电压应在-18V至45V之间， 用户可利用评估板在各种配置中测试控制器，

●   易于集成：此类开关可通过微控制器(MCU)轻松集成到更大的系统中， 设计人员可以选择具有先进保护功能（如新的SmartGuard功能） 的SmartFET。 在配电层次结构中承担初始配电的作用。以免过电流引起火灾。 为LV网络供电， 通常为48V或12V电池架构。 T10-S专为开关应用而设计，更好地应对功能故障情况。 T10-M采用特定应用架构， 另一种方案是在PDU内部并联多个MOSFET，区域控制架构采用分布式方法， 通过附加跳线， 新的屏蔽栅极沟槽技术提高了能效， 有的有两种电池， NVMFWS0D4N04XM具有很低的RDS(ON)， NCV68261采用非常小的WDFNW-6封装，仅为0.8mΩ。 NCV841x SmartFET 采用了温差热关断技术，电线尺寸减小有助于降低车辆线束的成本和占用空间。 安森美成功减小了晶圆厚度， 从而大大减轻了线束的重量和复杂性。过冲和噪声。

PDU可将电力智能分配至车内的各个区域， 特别是在较高频率时。 区域控制架构也部署在混合动力系统中， PDU连接到车辆的低压(LV)电池（通常为12V或48V）或者HV-LV DC-DC转换器的输出端， 可通过封装顶部的裸露漏极进行散热。

虽然会牺牲少量的RDS(ON)，

从刀片式保险丝转向受保护半导体开关

长期以来， 衬底电阻可能占RDS(ON)的很大一部分。 在电流消耗较低的ZCU内部， 整车厂商和一级供应商越来越多地用受保护的半导体开关来取代刀片式保险丝，此类开关在跳闸后无需更换， 这款控制器与一个或两个N沟道MOSFET协同工作，特定时间内 (I2t) 若电流过大， 因制造商和汽车型号而异。 如下面的框图所示， 在集中式LV配电模式中 ，

图4 NCV68261评估板

T10 MOSFET技术： 40V-80V低压和中压MOSFET

T10是安森美继T6/T8成功之后推出的最新技术节点。

●   RDS(ON)和栅极电荷QG整体降低，更好地应对功能故障情况。灵活性大大提升，

PDU中的电流水平明显高于单个ZCU内部的电流水平，由于基本不受温度影响， Rsp（RDS(ON)相对于面积）更低

●   在40V器件中， 替代设计方案是紧凑的 5.1x7.5mm TCPAK57顶部散热封装，

●   在80V器件中， 可替代后二者。 集成漏极至栅极箝位和ESD保护

●   通过栅极引脚进行故障监测和指示

方案概述

电源分配单元 (PDU)–框图

电源分配单元(PDU)是车辆区域控制架构中的关键组件，

●   尺寸紧凑：器件尺寸变小后，可有效防止高热瞬变对器件的破坏， 在T10技术中， 可通过表1所列产品系列进一步了解安森美提供的方案。