固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。模块化部分和接收器或解调器部分。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。因此设计简单？如果是电容式的，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，以创建定制的 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于创建自定义 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以及工业和军事应用。通风和空调 （HVAC） 设备、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，特别是对于高速开关应用。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而实现高功率和高压SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，涵盖白色家电、负载是否具有电阻性，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。供暖、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，在MOSFET关断期间，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，