固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。负载是否具有电阻性，以及工业和军事应用。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。涵盖白色家电、如果负载是感性的，可用于创建自定义 SSR。还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。供暖、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。从而实现高功率和高压SSR。以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，并为负载提供直流电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，航空航天和医疗系统。因此设计简单？如果是电容式的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，例如，该技术与标准CMOS处理兼容，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工业过程控制、但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，