固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。负载是否具有电阻性，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。如果负载是感性的，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。从而实现高功率和高压SSR。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以及工业和军事应用。因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而简化了 SSR 设计。无需在隔离侧使用单独的电源，通风和空调 （HVAC） 设备、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，