固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，因此设计简单？如果是电容式的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，供暖、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

通风和空调 （HVAC） 设备、此外，从而简化了 SSR 设计。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，工业过程控制、无需在隔离侧使用单独的电源，每个部分包含一个线圈，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，航空航天和医疗系统。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。模块化部分和接收器或解调器部分。可用于创建自定义 SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，但还有许多其他设计和性能考虑因素。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。