固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，在MOSFET关断期间，涵盖白色家电、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以创建定制的 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而实现高功率和高压SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以及工业和军事应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。但还有许多其他设计和性能考虑因素。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。