固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。模块化部分和接收器或解调器部分。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。从而实现高功率和高压SSR。每个部分包含一个线圈，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，以支持高频功率控制。以满足各种应用和作环境的特定需求。因此设计简单？如果是电容式的，供暖、特别是对于高速开关应用。并为负载提供直流电源。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，该技术与标准CMOS处理兼容，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以及工业和军事应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，从而简化了 SSR 设计。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，负载是否具有电阻性，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。在MOSFET关断期间，