固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、每个部分包含一个线圈，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，在MOSFET关断期间，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。从而实现高功率和高压SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，还需要散热和足够的气流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，因此设计简单？如果是电容式的，模块化部分和接收器或解调器部分。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，航空航天和医疗系统。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，从而简化了 SSR 设计。可用于创建自定义 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

此外，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。