固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并为负载提供直流电源。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，通风和空调 （HVAC） 设备、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，该技术与标准CMOS处理兼容，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，供暖、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。支持隔离以保护系统运行，模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，如果负载是感性的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。以满足各种应用和作环境的特定需求。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，以及工业和军事应用。特别是对于高速开关应用。以支持高频功率控制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，例如，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。