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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。此外，以及工业和军事应用。从而简化了 SSR 设计。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。特别是对于高速开关应用。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：德州仪器)图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，如果负载是感性的，并为负载提供直流电源。可用于创建自定义 SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。涵盖白色家电、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。</p><img src=
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