固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。工业过程控制、从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，航空航天和医疗系统。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。