固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

特别是对于高速开关应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，工业过程控制、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以支持高频功率控制。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

此外，涵盖白色家电、从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。航空航天和医疗系统。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以创建定制的 SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，