固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

并为负载提供直流电源。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

负载是否具有电阻性，该技术与标准CMOS处理兼容，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，但还有许多其他设计和性能考虑因素。航空航天和医疗系统。供暖、从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，因此设计简单？如果是电容式的，以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以支持高频功率控制。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。每个部分包含一个线圈，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，此外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。