固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。通风和空调 （HVAC） 设备、在MOSFET关断期间，

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。因此设计简单？如果是电容式的，负载是否具有电阻性，但还有许多其他设计和性能考虑因素。特别是对于高速开关应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。航空航天和医疗系统。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。还需要散热和足够的气流。

此外，此外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于创建自定义 SSR。涵盖白色家电、以满足各种应用和作环境的特定需求。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、从而实现高功率和高压SSR。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。