固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，航空航天和医疗系统。支持隔离以保护系统运行，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以创建定制的 SSR。

此外，该技术与标准CMOS处理兼容，可用于创建自定义 SSR。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而实现高功率和高压SSR。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。在MOSFET关断期间，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，因此设计简单？如果是电容式的，负载是否具有电阻性，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。无需在隔离侧使用单独的电源，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，