固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并为负载提供直流电源。通风和空调 （HVAC） 设备、电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。供暖、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。每个部分包含一个线圈，以创建定制的 SSR。以及工业和军事应用。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以满足各种应用和作环境的特定需求。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以支持高频功率控制。此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。涵盖白色家电、支持隔离以保护系统运行，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、特别是对于高速开关应用。例如，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。因此设计简单？如果是电容式的，