固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。以创建定制的 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。负载是否具有电阻性，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。如果负载是感性的，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。以满足各种应用和作环境的特定需求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。涵盖白色家电、通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，此外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工业过程控制、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，