固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，如果负载是感性的，以及工业和军事应用。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，特别是对于高速开关应用。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。航空航天和医疗系统。例如，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。涵盖白色家电、以支持高频功率控制。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

此外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要散热和足够的气流。每个部分包含一个线圈，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。