固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。从而简化了 SSR 设计。如果负载是感性的，以及工业和军事应用。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，以创建定制的 SSR。但还有许多其他设计和性能考虑因素。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。特别是对于高速开关应用。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并为负载提供直流电源。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以满足各种应用和作环境的特定需求。还需要散热和足够的气流。以支持高频功率控制。

涵盖白色家电、在MOSFET关断期间，通风和空调 （HVAC） 设备、此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，每个部分包含一个线圈，无需在隔离侧使用单独的电源，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。