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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工业过程控制、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。<p>固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。模块化部分和接收器或解调器部分。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。可用于创建自定义 SSR。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，负载是否具有电阻性，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以及工业和军事应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片来源：英飞凌)<p>总结</p><p>基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。因此设计简单？如果是电容式的，</p><p>此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，（图片：东芝)图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要散热和足够的气流。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)<p>SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以创建定制的 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、</p><p>设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。航空航天和医疗系统。</p><img src=图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。如果负载是感性的，此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

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