固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

可用于创建自定义 SSR。供暖、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

此外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。例如，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，如果负载是感性的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。每个部分包含一个线圈，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以支持高频功率控制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，模块化部分和接收器或解调器部分。以创建定制的 SSR。工业过程控制、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。