固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，还需要散热和足够的气流。可用于创建自定义 SSR。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以创建定制的 SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。该技术与标准CMOS处理兼容，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。