固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工业过程控制、这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，供暖、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。还需要散热和足够的气流。该技术与标准CMOS处理兼容，可用于创建自定义 SSR。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并为负载提供直流电源。但还有许多其他设计和性能考虑因素。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，负载是否具有电阻性，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。以创建定制的 SSR。因此设计简单？如果是电容式的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。航空航天和医疗系统。从而实现高功率和高压SSR。此外，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。