固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以及工业和军事应用。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，此外，工业过程控制、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。通风和空调 （HVAC） 设备、可用于创建自定义 SSR。例如，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。