固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以满足各种应用和作环境的特定需求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而简化了 SSR 设计。该技术与标准CMOS处理兼容，此外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。从而实现高功率和高压SSR。航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。模块化部分和接收器或解调器部分。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，特别是对于高速开关应用。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。以创建定制的 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。无需在隔离侧使用单独的电源，可用于创建自定义 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，