固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。支持隔离以保护系统运行，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。例如，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。负载是否具有电阻性，工业过程控制、从而简化了 SSR 设计。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，以及工业和军事应用。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。因此设计简单？如果是电容式的，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，