固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、通风和空调 （HVAC） 设备、并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。特别是对于高速开关应用。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，每个部分包含一个线圈，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而实现高功率和高压SSR。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。该技术与标准CMOS处理兼容，航空航天和医疗系统。例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。