固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

通风和空调 （HVAC） 设备、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，支持隔离以保护系统运行，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。涵盖白色家电、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，此外，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。该技术与标准CMOS处理兼容，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，负载是否具有电阻性，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以创建定制的 SSR。例如，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，可用于创建自定义 SSR。以支持高频功率控制。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。