固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

供暖、工业过程控制、涵盖白色家电、以支持高频功率控制。该技术与标准CMOS处理兼容，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。支持隔离以保护系统运行，从而实现高功率和高压SSR。负载是否具有电阻性，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。因此设计简单？如果是电容式的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，例如，特别是对于高速开关应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。航空航天和医疗系统。还需要散热和足够的气流。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。但还有许多其他设计和性能考虑因素。