固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，以支持高频功率控制。特别是对于高速开关应用。

此外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。涵盖白色家电、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。通风和空调 （HVAC） 设备、模块化部分和接收器或解调器部分。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，例如，从而实现高功率和高压SSR。负载是否具有电阻性，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。支持隔离以保护系统运行，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。如果负载是感性的，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，每个部分包含一个线圈，