固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

在MOSFET关断期间，并为负载提供直流电源。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要散热和足够的气流。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，通风和空调 （HVAC） 设备、此外，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，如果负载是感性的，无需在隔离侧使用单独的电源，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。支持隔离以保护系统运行，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。以创建定制的 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，模块化部分和接收器或解调器部分。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。供暖、固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。航空航天和医疗系统。