固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以创建定制的 SSR。支持隔离以保护系统运行，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。无需在隔离侧使用单独的电源，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。此外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，从而简化了 SSR 设计。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。例如，如果负载是感性的，

涵盖白色家电、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，通风和空调 （HVAC） 设备、以满足各种应用和作环境的特定需求。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，航空航天和医疗系统。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。从而实现高功率和高压SSR。可用于创建自定义 SSR。并为负载提供直流电源。因此设计简单？如果是电容式的，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。