固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，支持隔离以保护系统运行，该技术与标准CMOS处理兼容，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以支持高频功率控制。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，并为负载提供直流电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工业过程控制、添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。如果负载是感性的，航空航天和医疗系统。还需要散热和足够的气流。模块化部分和接收器或解调器部分。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，负载是否具有电阻性，以创建定制的 SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，