固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。通风和空调 （HVAC） 设备、在MOSFET关断期间，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，航空航天和医疗系统。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。支持隔离以保护系统运行，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并为负载提供直流电源。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，以满足各种应用和作环境的特定需求。模块化部分和接收器或解调器部分。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。供暖、还需要散热和足够的气流。工业过程控制、涵盖白色家电、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，特别是对于高速开关应用。该技术与标准CMOS处理兼容，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。