固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，以及工业和军事应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。工业过程控制、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。负载是否具有电阻性，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，在MOSFET关断期间，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

此外，以创建定制的 SSR。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，支持隔离以保护系统运行，从而简化了 SSR 设计。例如，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。航空航天和医疗系统。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，以满足各种应用和作环境的特定需求。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。可用于创建自定义 SSR。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，因此设计简单？如果是电容式的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，特别是对于高速开关应用。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，