史上最先进!ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机:5nm单次曝光
可满足2035年之后的制程需求。全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机,ASML及独家光学合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机, 快科技6月29日消息, 据悉, 数值孔径(NA)是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标,目前尚未设定具体上市时间表。 目前标准EUV光刻机的NA为0.33, 【本文结束】如需转载请务必注明出处:快科技 责任编辑:朝晖
Jos Benschop表示,不仅效率较低,
Benschop指出,
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