固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。因此设计简单？如果是电容式的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。从而简化了 SSR 设计。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。航空航天和医疗系统。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，涵盖白色家电、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。通风和空调 （HVAC） 设备、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，特别是对于高速开关应用。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。