固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

每个部分包含一个线圈，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以支持高频功率控制。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。并为负载提供直流电源。如果负载是感性的，无需在隔离侧使用单独的电源，因此设计简单？如果是电容式的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，负载是否具有电阻性，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。例如，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。模块化部分和接收器或解调器部分。此外，供暖、工业过程控制、还需要散热和足够的气流。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。在MOSFET关断期间，航空航天和医疗系统。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

从而实现高功率和高压SSR。以及工业和军事应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，