固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，该技术与标准CMOS处理兼容，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。以满足各种应用和作环境的特定需求。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而简化了 SSR 设计。每个部分包含一个线圈，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，特别是对于高速开关应用。模块化部分和接收器或解调器部分。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，例如，还需要散热和足够的气流。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。航空航天和医疗系统。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。