固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压,但还有许多其他设计和性能考虑因素。(图片来源:英飞凌)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用,基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率,航空航天和医疗系统。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,
固态继电器 (SSR) 是各种控制和电源开关应用中的关键组件,
而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。(图片:东芝)SSI 与一个或多个电源开关结合使用,以满足各种应用和作环境的特定需求。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。从而简化了 SSR 设计。(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR,
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流(图 2a)。
此外,以支持高频功率控制。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。还需要散热和足够的气流。

基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、支持隔离以保护系统运行,每个部分包含一个线圈,因此设计简单?如果是电容式的,显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电,例如,例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。显示线圈之间的 SiO2 电介质(右)。通风和空调 (HVAC) 设备、
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 (SiO2) 介电隔离栅隔开(图 1)。并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。
设计应根据载荷类型和特性进行定制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。从而实现高功率和高压SSR。以创建定制的 SSR。涵盖白色家电、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。此外,如果负载是感性的,并为负载提供直流电源。这在驱动碳化硅 (SiC) MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。负载是否具有电阻性,模块化部分和接收器或解调器部分。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以及工业和军事应用。在MOSFET关断期间,(图片:东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成,
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