固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

因此设计简单？如果是电容式的，从而简化了 SSR 设计。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。可用于创建自定义 SSR。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，此外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，如果负载是感性的，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，还需要散热和足够的气流。从而实现高功率和高压SSR。以创建定制的 SSR。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。每个部分包含一个线圈，模块化部分和接收器或解调器部分。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。在MOSFET关断期间，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

此外，