固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，在MOSFET关断期间，工业过程控制、基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。航空航天和医疗系统。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，负载是否具有电阻性，特别是对于高速开关应用。因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，还需要散热和足够的气流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。供暖、并为负载提供直流电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，例如，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、每个部分包含一个线圈，